BSC014N03MS G
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BSC014N03MS G |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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5000+ | $0.6955 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 173nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Ta), 100A (Tc) |
BSC014N03MS G Einzelheiten PDF [English] | BSC014N03MS G PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 30V 30A/100A TDSON
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2024/06/6
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2023/12/20
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